Réunion plénière du GDR PULSE 2017 + atelier simulations
PARIS 2-5 octobre 2017
processus ultimes de l’épitaxie de semi-conducteurs
modélisation de la croissance
intégration et hétéroépitaxie
substrats fonctionnalisés
croissance sélective
caractérisations ultimes
techniques de l’épitaxie
propriétés des nanostructures
systèmes bidimensionnels
nanofils
