Réunion plénière du GDR PULSE 2017 + atelier simulations

PARIS 2-5 octobre 2017

 

processus ultimes de l’épitaxie de semi-conducteurs

modélisation de la croissance

intégration et hétéroépitaxie

substrats fonctionnalisés

croissance sélective

caractérisations ultimes

techniques de l’épitaxie

propriétés des nanostructures

systèmes bidimensionnels

nanofils

 

 

 

 

 

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